供应HMC194MS8 HMC215LP4 HMC218MS8 HMC219MS8

产品信息

Hittite MICrowave推出两款集成了本振(LO)放大器的新型线性混频器HMC585MS8G(E)和HMC215LP4(E),该产品适用于频率范围为0.4-4.0GHz的蜂窝、个人通信系统、3G、宽带、WIMAX和WiBro系统的上变频或下变频应用。

HMC585MS8G(E)为一款高IP3 GaAsMMIC混频器,集成了工作频率范围为400-650MHz的本振放大器,具有输入IP3高达33dBm但本地驱动要求为0dBm的特点。此款高动态范围MMIC混频器的本振频率为300-750MHz,适用于高、低端LO频率应用。HMC585MS8G(E)采用符合RoHS指令的MSOP8G“E”表面封装。HMC585MS8G(E)与HMC483MS8G(E)和频率范围为0.7-2.4GHz的HMC485MS8G(E)系列高IP3混频器有一个引脚彼此兼容。

 

HMC215LP4(E)为一款双平衡GaAs MMIC混频器,集成了工作频率范围为1.7-4.0GHz的LO放大器,具有LO/RF(本机振荡器/射频)隔离高达30dB、转换损耗仅为88dB、输入IP3高达+25dBm等特点。此款宽带MMIC混频器采用符合RoHS指令的无铅4×4 QFN“E”SMT封装,与HMC551LP4(E)和集成了工作频率范围为0.8-3.0GHz的本地放大器的HMC552LP4(E)系列双平衡混频器有一个引脚相互兼容。

HMC585MS8G(E)和HMC215LP4(E)均采用+5V电源供电。通过采用无源混频频技术,HMC585MS8G(E)和HMC215LP4(E)为用于上变频或下变频应用的理想选择。

RF Freq. (GHz)FunctionIF Freq. (GHz)Conv. Gain (dB)LO/RF Isol. (dB)IIP3 (dBm)Package
1.7 - 4.0 High IP3, DBL-BAL, +4 LO DC - 1 -8 32 25 LP4

Features

? Input IP3: +25 dBm
? Low Input LO Drive: +2 to +6 dBm
? High LO to RF Isolation: 32 dB
? Low Conversion Loss: 8 dB
? Single Positive Supply: +5V @ 56 mA
? RoHS Compliant 4x4 mm QFN Package

Typical Applications

? PCS / 3G Infrastructure
? Base Stations & Repeaters
? WiMAX & WiBro
? ISM & Fixed Wireless

Functional Diagram


HMC215LP4 Functional Diagram

General Description

The HMC215LP4(E) is a high linearity, double-balanced converter IC that operates from 1.7 to 4.0 GHz and delivers a +25 dBm input third order intercept point. The LO amplifier output and high dynamic range mixer input are positioned so that an external LO filter can be placed in series between them. The converter provides 32 dB of LO to RF isolation and is ideal for upconverter and down converter applications.


The IC operates from a single +5V supply consuming 56 mA of current and accepts a LO drive level of 2 to 6 dBm. The design requires no external baluns and supports IF frequencies between DC and 1 GHz. The HMC215LP4(E) is pin for pin compatible with the HMC552LP4(E), which operates from 1.6 to 3.0 GHz.

混频器,集成了工作频率范围为400-650MHz的本振放大器,具有输入IP3高达33dBm但本地驱动要求为0dBm的特点。此款高动态范围MMIC混频器的本振频率为300-750MHz,适用于高、低端LO频率应用。HMC585MS8G(E)采用符合RoHS指令的MSOP8G“E”表面封装。HMC585MS8G(E)与HMC483MS8G(E)和频率范围为0.7-2.4GHz的HMC485MS8G(E)系列高IP3混频器有一个引脚彼此兼容。

 

HMC215LP4(E)为一款双平衡GaAs MMIC混频器,集成了工作频率范围为1.7-4.0GHz的LO放大器,具有LO/RF(本机振荡器/射频)隔离高达30dB、转换损耗仅为88dB、输入IP3高达+25dBm等特点。此款宽带MMIC混频器采用符合RoHS指令的无铅4×4 QFN“E”SMT封装,与HMC551LP4(E)和集成了工作频率范围为0.8-3.0GHz的本地放大器的HMC552LP4(E)系列双平衡混频器有一个引脚相互兼容。

 

HMC585MS8G(E)和HMC215LP4(E)均采用+5V电源供电。通过采用无源混频频技术,HMC585MS8G(E)和HMC215LP4(E)为用于上变频或下变频应用的理想选择。浩时健电子特价供应HITTITE全系列产品,全新原装,欢迎订购:

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