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S29GL032N70TAI043

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S29GL032N70TAI043
深圳市新良宇电子有限公司
深圳市新良宇电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8323763213302457603
地址：福田区振兴路华匀大厦221室
56912
Spansion
IC 2M X 16 FLASH 3V
23+
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原装现货欢迎来电查询！

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S29GL032N70TAI043 技术参数

S29GL032N11TFIV20 功能描述:闪存 32MB 2.7-3.6V 110ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29GL032N11TFIV10 功能描述:闪存 32MB 2.7-3.6V 110ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29GL032N11FFIV20 制造商:Spansion 功能描述:32M (4MX8) 3V REG, MIRRORBIT - Trays S29GL032N11FFIS42 制造商:Spansion 功能描述: S29GL032N11FFIS40 功能描述:IC FLASH 32MBIT 110NS 64BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-N 包装:托盘零件状态:在售存储器类型:非易失存储器格式:闪存技术:FLASH - NOR 存储容量:32Mb （4M x 8，2M x 16）写周期时间 - 字，页:110ns 访问时间:110ns 存储器接口:并联电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:64-LBGA 供应商器件封装:64 球加强型 BGA（13x11）标准包装:136 S29GL032N90DAI010 S29GL032N90DAI020 S29GL032N90DFBR20 S29GL032N90DFBR23 S29GL032N90DFI010 S29GL032N90DFI020 S29GL032N90DFI023 S29GL032N90DFI030 S29GL032N90DFVR23 S29GL032N90FAI010 S29GL032N90FAI030 S29GL032N90FAI032 S29GL032N90FAI033 S29GL032N90FAI040 S29GL032N90FFA023 S29GL032N90FFA040 S29GL032N90FFI010 S29GL032N90FFI012