S29GL512P10FAIR12

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说明
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S29GL512P10FAIR12
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
13566
Cypress Semiconductor Cor
64-FBGA（11x13）
2025+
-

S29GL512P10FAIR12
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-621049316210489162104578
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
Cypress Semiconductor Cor
标准封装
16+
-
假一罚十

1/1页 40条/页共4条
1

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制造商
Spansion
功能描述
FLASH MEM PARALLEL 3V/3.3V 512M-BIT 64M X 8/32M X 16 - Tape and Reel

S29GL512P10FAIR12 技术参数

S29GL512P10FAIR10 制造商:Spansion 功能描述:FLASH MEM PARALLEL 3V/3.3V 512M-BIT 64M X 8/32M X 16 - Trays 制造商:Spansion 功能描述:SPZS29GL512P10FAIR10 FLASH MEM PARALLEL S29GL512N11TFI020 功能描述:IC FLASH 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-N 包装:托盘零件状态:停產存储器类型:非易失存储器格式:闪存技术:FLASH - NOR 存储容量:512Mb （64M x 8，32M x 16）写周期时间 - 字，页:110ns 访问时间:110ns 存储器接口:并联电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商器件封装:56-TSOP 标准包装:91 S29GL256S90TFI023 功能描述:闪存 256Mb 3V 90ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29GL256S90TFI020 功能描述:闪存 256Mb 3V 90ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29GL256S90TFI010 功能描述:闪存 256Mb 3V 90ns Parallel NOR 闪存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel S29GL512P10FFCR20A S29GL512P10FFI010 S29GL512P10FFI020 S29GL512P10FFIR10 S29GL512P10FFIR102 S29GL512P10FFIR10A S29GL512P10FFIR10B S29GL512P10FFIR10W S29GL512P10FFIR12 S29GL512P10FFIR20 S29GL512P10FFIR202 S29GL512P10FFIR20A S29GL512P10FFIR23 S29GL512P10FFIS10 S29GL512P10FFSS70 S29GL512P10FFSS72 S29GL512P10FFSS73 S29GL512P10FFSS80