SI-4133-D-GT

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SI-4133-D-GT 技术参数

SI4133-D-GMR 功能描述:射频无线杂项 Dual-Band RF Synthesizer RoHS:否制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel SI4133-D-GM 功能描述:锁相环 - PLL DUAL-BAND RF MLP-28 RoHS:否制造商:Silicon Labs 类型:PLL Clock Multiplier 电路数量:1 最大输入频率:710 MHz 最小输入频率:0.002 MHz 输出频率范围:0.002 MHz to 808 MHz 电源电压-最大:3.63 V 电源电压-最小:1.71 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:QFN-36 封装:Tray SI4133-BT 功能描述:射频无线杂项 USE 634-SI4133-D-GT FOR NEW DESIGNS RoHS:否制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel SI4126M-EVB 功能描述:BOARD EVALUATION FOR SI4126 制造商:silicon labs 系列:- 零件状态:有效类型:合成器频率:- 配套使用产品/相关产品:SI4126 所含物品:板标准包装:1 SI4126-F-GMR 功能描述:射频无线杂项 WLAN Synthesizer RF2/IF RoHS:否制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel SI4134DY-T1-E3 SI4134DY-T1-GE3 SI4134T-BM SI4134T-GM SI4136-BM SI4136-BT SI4136DY-T1-GE3 SI4136-EVB SI4136-F-BM SI4136-F-BT SI4136-F-GM SI4136-F-GMR SI4136-F-GT SI4136-F-GTR SI4136M-EVB SI4143DY-T1-GE3 SI-415-1 SI4154DY-T1-GE3