SI21108DT-T1-E3

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SI21108DT-T1-E3
北京元坤伟业科技有限公司
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联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
VISHAY
SOP-8
08+
-
全新原装100%正品保证质量

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北京元坤伟业科技有限公司
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SI21108DT-T1-E3 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

SI21108DT-T1-E3 技术参数

SI-20140 功能描述:1 Port RJ45 Magjack Connector Through Hole 10 Base-T, AutoMDIX 制造商:stewart connector 系列:MagJack? ST SI-20000 包装:托盘零件状态:有效连接器类型:RJ45 端口数:1 排数:1 应用:10 Base-T，AutoMDIX 安装类型:通孔朝向:90°角（直角）端接:焊接板上高度:- LED 颜色:不包含 LED 每插孔芯数:2 屏蔽:屏蔽式，EMI指特性:板锁凸片方向:下触头材料:- 触头镀层:金触头镀层厚度:50μin（1.27μm）屏蔽材料:- 外壳材料:- 工作温度:-20°C ~ 85°C 标准包装:50 SI1869DH-T1-GE3 功能描述:MOSFET LOAD SWITCH 1.8V RA W/ LEVEL SHIFT RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SI1869DH-T1-E3 功能描述:MOSFET LOAD SWITCH 1.8V RA W/ LEVEL SHIFT RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SI1867DL-T1-GE3 功能描述:IC LOAD SW LEVEL SHIFTER SC-70-6 RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - 电源分配开关系列:- 特色产品:XRP252 Switches 标准包装:1 系列:- 类型:高端开关输出数:2 Rds（开）:140 毫欧内部开关:是电流限制:1.15A 输入电压:1.75 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:10-WFDFN 裸露焊盘供应商设备封装:10-TDFN（3x3）包装:Digi-Reel® 其它名称:1016-1691-6 SI1867DL-T1-E3 功能描述:MOSFET 1.8-8.0V w/Lvl-Shift RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube SI2127-A30-GM SI2127-A30-GMR SI2128-A20-GM SI2128-A20-GMR SI2136-B30-GM SI2136-B30-GMR SI2137-A30-GM SI2137-A30-GMR SI2138-A20-GM SI2138-A20-GMR SI2141-A10-GM SI2141-A10-GMR SI2141-B10-GM SI2141-B10-GMR SI2141-B-EVB SI2143-A30-GM SI2144-A20-GM SI2144-A20-GMR