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SID15200F00A1

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SID15200F00A1
深圳市鹏拓发展电子
深圳市鹏拓发展电子
联系人：马先生林先生马小姐
电话：0755-82773839
地址：深圳市福田区华强北华联发大厦六楼635房
1366
EPSON
QFP
15+
-
全新香港货源，专营QFP BGA QFN

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SID15200F00A1 技术参数

SID1183K-TL 功能描述:IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 SID1183K 功能描述:DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件状态:在售标准包装:48 SID1182K-TL 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售技术:磁耦合通道数:1 电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:- 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:340ns，330ns 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:90ns，81ns 电流 - 输出高，低:3.6A，4A 电流 - 峰值输出:8A 电压 - 正向（Vf）（典型值）:- 电压 - 电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线供应商器件封装:eSOP-R16B 标准包装:1 SID1182K 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包装:管件零件状态:在售技术:磁耦合通道数:1 电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:- 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:340ns，330ns 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:90ns，81ns 电流 - 输出高，低:3.6A，4A 电流 - 峰值输出:8A 电压 - 正向（Vf）（典型值）:- 电压 - 电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线供应商器件封装:eSOP-R16B 标准包装:48 SID1152K-TL 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售技术:磁耦合通道数:1 电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:- 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:340ns，330ns 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:225ns，225ns（最大）电流 - 输出高，低:2.4A，2.6A 电流 - 峰值输出:5A 电压 - 正向（Vf）（典型值）:- 电压 - 电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线供应商器件封装:eSOP-R16B 标准包装:1 SIDC03D120H6X1SA3 SIDC03D60C6 SIDC03D60C6X1SA2 SIDC03D60F6 SIDC03D60F6X1SA2 SIDC04D60F6 SIDC04D60F6X1SA3 SIDC05D60C6 SIDC05D60C6X1SA2 SIDC06D120E6 SIDC06D120E6X1SA3 SIDC06D120F6 SIDC06D120F6X1SA2 SIDC06D120H6 SIDC06D120H6X1SA4 SIDC06D60AC6 SIDC06D60AC6X1SA1 SIDC06D60C6