SIE810DF-T1-GE3

配单专家企业名单

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厂商
封装
批号
价格
说明
操作

SIE810DF-T1-GE3
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4828
VISHAY
3K/reel
2229+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

SIE810DF-T1-GE3
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4421
VISHAY
3K/reel
2205+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
MOSFET 20V 236A 125W 1.4mohm @ 10V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

SIE810DF-T1-GE3 技术参数

SIDEGIG-GUITAREVM 功能描述:EVALUATION MODULE 制造商:texas instruments 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 SID1183K-TL 功能描述:IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 SID1183K 功能描述:DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件状态:在售标准包装:48 SID1182K-TL 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售技术:磁耦合通道数:1 电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:- 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:340ns，330ns 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:90ns，81ns 电流 - 输出高，低:3.6A，4A 电流 - 峰值输出:8A 电压 - 正向（Vf）（典型值）:- 电压 - 电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线供应商器件封装:eSOP-R16B 标准包装:1 SID1182K 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包装:管件零件状态:在售技术:磁耦合通道数:1 电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:- 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:340ns，330ns 脉宽失真（最大）:- 上升/下降时间（典型值）:90ns，81ns 电流 - 输出高，低:3.6A，4A 电流 - 峰值输出:8A 电压 - 正向（Vf）（典型值）:- 电压 - 电源:4.75 V ~ 5.25 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线供应商器件封装:eSOP-R16B 标准包装:48 SIE822DF-T1-GE3 SIE830DF-T1-E3 SIE830DF-T1-GE3 SIE832DF-T1-E3 SIE832DF-T1-GE3 SIE836DF-T1-E3 SIE836DF-T1-GE3 SIE844DF-T1-E3 SIE844DF-T1-GE3 SIE848DF-T1-E3 SIE848DF-T1-GE3 SIE854DF-T1-E3 SIE854DF-T1-GE3 SIE860DF-T1-E3 SIE860DF-T1-GE3 SIE862DF-T1-GE3 SIE864DF-T1-GE3 SIE868DF-T1-GE3