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SIR482DP

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    SIR482DP-T1-GE3

    SIR482DP-T1-GE3

  • 深圳市芯脉实业有限公司
    深圳市芯脉实业有限公司

    联系人：曹先生

    电话：13487865852

    地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室

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  • Vishay Siliconix

  • PowerPAK庐 SO-8

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SIR482DP 技术参数
  • SIR383C 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 100mA 11mW/sr @ 20mA 20° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外线 电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:11mW/sr @ 20mA 波长:875nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:径向 标准包装:500 SIR383 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 100mA 11mW/sr @ 20mA 20° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外线 电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:11mW/sr @ 20mA 波长:875nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:径向 标准包装:500 SIR-34ST3F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 3.5mW/sr @ 50mA 54° T-1 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外（IR） 电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:3.5mW/sr @ 50mA 波长:950nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 视角:54° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:T-1 标准包装:2,000 SIR-341ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.3V 75mA 5.6mW/sr @ 50mA 32° T-1 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外（IR） 电流 - DC 正向（If）:75mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 视角:32° 朝向:顶视图 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:T-1 标准包装:2,000 SIR333-A 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 100mA 7.8mW/sr @ 20mA 20° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外线 电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:7.8mW/sr @ 20mA 波长:875nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:径向 标准包装:500 SIR606BDP-T1-RE3 SIR606DP-T1-GE3 SIR610DP-T1-RE3 SIR616DP-T1-GE3 SIR618DP-T1-GE3 SIR622DP-T1-GE3 SIR624DP-T1-GE3 SIR626DP-T1-RE3 SIR632DP-T1-RE3 SIR638ADP-T1-RE3 SIR638DP-T1-GE3 SIR638DP-T1-RE3 SIR640ADP-T1-GE3 SIR640DP-T1-GE3 SIR642DP-T1-GE3 SIR644DP-T1-GE3 SIR646DP-T1-GE3 SIR662DP-T1-GE3
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