SIR862DP-T1-GE3全国供应商【买卖IC网】SIR862DP-T1-GE3资料|PDF Datasheet|价格 Vishay

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说明
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SIR862DP-T1-GE3
深圳市煌盛达科技有限公司
深圳市煌盛达科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13823538694
地址：平湖华南城华利嘉
资质：营业执照
12000
SILICONIX
原厂原封装
20+
-
原装库存，全新进口，可电13689551...

SIR862DP-T1-GE3
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
VISHAY
QFN8
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

SIR862DP-T1-GE3
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
130000
VISHAY/威世
CutTape
23+
-
18万条库存，一站式配齐

SIR862DP-T1-GE3
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：汪小姐
电话：19240207240
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
VISHAY/威世
CutTape
24+
-
优势供应品质保障可开13点发票

SIR862DP-T1-GE3
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
205475
VISHAY
POWERPA
14+
-
全新原装现货

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功能描述
MOSFET N-CH 25V 8-SOIC
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
TrenchFET®
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

SIR862DP-T1-GE3 技术参数

SIR67-21C/TR8 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 65mA 0.5mW/sr @ 20mA 120° 2-SMD, J-Lead 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:红外线电流 - DC 正向（If）:65mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:0.5mW/sr @ 20mA 波长:875nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 视角:120° 朝向:通用工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，J 形引线标准包装:1 SIR-56ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波长:950nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 视角:30° 朝向:顶视图工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:1,000 SIR-568ST3F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.6V 100mA 18mW/sr @ 50mA 26° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:18mW/sr @ 50mA 波长:850nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.6V 视角:26° 朝向:顶视图工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:1,000 SIR-563ST3FM 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.34V 100mA 9mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:9mW/sr @ 50mA 波长:940nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.34V 视角:30° 朝向:顶视图工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:1,000 SIR-505STA47F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.38V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:红外（IR）电流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 时的辐射强度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波长:950nm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.38V 视角:30° 朝向:顶视图工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:2,000 SIR873DP-T1-GE3 SIR874DP-T1-GE3 SIR876ADP-T1-GE3 SIR876DP-T1-GE3 SIR878ADP-T1-GE3 SIR878BDP-T1-RE3 SIR878DP-T1-GE3 SIR880ADP-T1-GE3 SIR880DP-T1-GE3 SIR882ADP-T1-GE3 SIR882DP-T1-GE3 SIR888DP-T1-GE3 SIR890DP-T1-GE3 SIR892DP-T1-GE3 SIR928-6C-F SIRA00DP-T1-GE3 SIRA00DP-T1-RE3 SIRA01DP-T1-GE3

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