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STB9NK80Z

配单专家企业名单
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  • STB9NK80Z
    STB9NK80Z

    STB9NK80Z

    现货
  • 集好芯城
    集好芯城

    联系人:陈先生 13360533550

    电话:0755-83289799

    地址:深圳市福田区深南中路汉国城市商业中心55层 香港新界葵兴葵康大厦6楼

    资质:营业执照

  • 22024

  • 22+

  • -
  • 原装原厂现货

  • STB9NK80Z
    STB9NK80Z

    STB9NK80Z

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889150

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • D2PAK/TO-263

  • 25+

  • -
  • 国产品牌,替代进口

  • STB9NK80Z
    STB9NK80Z

    STB9NK80Z

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • ST

  • TO-263

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • STB9NK80Z
    STB9NK80Z

    STB9NK80Z

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 6003

  • ST/意法半导体

  • TO-263-3

  • 21+

  • -
  • 原装正品现货 可开增值税发票

  • STB9NK80Z
    STB9NK80Z

    STB9NK80Z

  • 深圳市芯脉实业有限公司
    深圳市芯脉实业有限公司

    联系人:高先生/曹先生/周小姐

    电话:185208051481348786585213760272017

    地址:深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室

  • 65902

  • STMicroelectronics

  • TO-263-3

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

  • STB9NK80Z
    STB9NK80Z

    STB9NK80Z

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • STB9NK80Z
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 9195

  • STMICROEL

  • DIGI-REEL?

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • STB9NK80Z
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 3526

  • ST

  • D2PAK

  • 14+

  • -
  • 原装正品,现货库存,400-800-03...

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 800V D2PAK
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • SuperMESH??
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 800V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 5.2A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 1.8 欧姆 @ 2.6A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 4.5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 40nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 1138pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 125W
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装
  • D2PAK
  • 标准包装
  • 1
STB9NK80Z 技术参数
  • STB9NK60ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):950 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):53nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1110pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB9NK60ZDT4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperFREDmesh? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):950 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):53nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1110pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB9NK50ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):850 毫欧 @ 3.6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):32nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):910pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB95N4F3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.8 毫欧 @ 40A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):54nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2200pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STB95N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.2 毫欧 @ 40A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):24.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2200pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 STBC02BJR STBC02JR STBC03JR STBC08PMR STBC21FTR STBCFG01JR STBP110CVDJ6F STBP110ETDJ6F STBP110GTDJ6F STBP112CVDJ6F STBP120AVDK6F STBP120BVDK6F STBP120CVDK6F STBP120DVDK6F STBR3012W STBR3012WY STBR6012W STBR6012WY
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