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STD13N65M2

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • STD13N65M2
    STD13N65M2

    STD13N65M2

  • 北京天阳诚业科贸有限公司
    北京天阳诚业科贸有限公司

    联系人:洪先生

    电话:17862669251

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503

    资质:营业执照

  • 0

  • STMICROELECTRONICS

  • con

  • 24+

  • -
  • 集成电路(IC)

  • STD13N65M2
    STD13N65M2

    STD13N65M2

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-252

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • STD13N65M2
    STD13N65M2

    STD13N65M2

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889150

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • DPAK/TO-252

  • 25+

  • -
  • 国产品牌,替代进口

  • STD13N65M2
    STD13N65M2

    STD13N65M2

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质:营业执照

  • 6006

  • ST/意法半导体

  • SMD/SMT

  • 21+

  • -
  • 原装正品现货 可开增值税发票

  • STD13N65M2
    STD13N65M2

    STD13N65M2

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人:

    电话:18724450645

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室

    资质:营业执照

  • 0

  • STMICROELECTRONICS

  • con

  • 24+

  • -
  • 集成电路(IC)

  • STD13N65M2
    STD13N65M2

    STD13N65M2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • STD13N65M2
    STD13N65M2

    STD13N65M2

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 37450

  • STMICROEL

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

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  • 1
STD13N65M2 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh? M2
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 650V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 10A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 430 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 17nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 590pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
  • 110W
  • 工作温度
  • 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商器件封装
  • DPAK
  • 标准包装
  • 1
STD13N65M2 技术参数
  • STD13N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):380 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):580pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD13N60DM2 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.310 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):365 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):730pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD134N4F7AG 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):41nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2790pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):134W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 毫欧 @ 40A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:1 STD130N6F7 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):42nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2600pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):134W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 40A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:DPAK 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:1 STD130N4F6AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级,AEC-Q101,STripFET? F6 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.6 毫欧 @ 40A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):70nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4260pF @ 25V 功率 - 最大值:143W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD155N3LH6 STD15N50M2AG STD15N60M2-EP STD15N65M5 STD15NF10T4 STD15P6F6AG STD15W-0 STD15W-1 STD15W-2 STD15W-3 STD15W-4 STD15W-5 STD15W-6 STD15W-7 STD15W-8 STD15W-9 STD15W-A STD15W-B
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