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STD8N60DM2

配单专家企业名单
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  • STD8N60DM2
    STD8N60DM2

    STD8N60DM2

    现货
  • 集好芯城
    集好芯城

    联系人：陈先生 13360533550

    电话：0755-83289799

    地址：深圳市福田区深南中路汉国城市商业中心55层 香港新界葵兴葵康大厦6楼

    资质：营业执照

  • 54425

  • ST(意法)

  • 22+

  • -

  • 原装原厂现货

  • STD8N60DM2
    STD8N60DM2

    STD8N60DM2

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人：张先生

    电话：0755-23903058

    地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • ST/意法

  • TO-252

  • 22+

  • -

  • 每一片都来自原厂，正品保证

  • STD8N60DM2
    STD8N60DM2

    STD8N60DM2

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人：张小姐

    电话：15961889150

    地址：江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质：营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • DPAK/TO-252

  • 25+

  • -

  • 国产品牌，替代进口

  • STD8N60DM2
    STD8N60DM2

    STD8N60DM2

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-252

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • STD8N60DM2
    STD8N60DM2

    STD8N60DM2

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人：张小姐

    电话：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质：营业执照

  • 6004

  • ST/意法半导体

  • TO-252-3

  • 22+

  • -

  • 原装正品现货 可开增值税发票

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
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  • 功能描述
  • N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh??
  • 包装
  • 剪切带（CT）
  • 零件状态
  • 在售
  • FET 类型
  • N 沟道
  • 技术
  • MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源极电压（Vdss）
  • 600V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
  • 8A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
  • 600 毫欧 @ 4A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
  • 5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
  • 4nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
  • 375pF @ 100V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • *
  • 工作温度
  • 150°C（TJ）
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商器件封装
  • DPAK
  • 标准包装
  • 1
STD8N60DM2 技术参数
  • STD888T4 功能描述:TRANS PNP 30V 5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 500mA，10A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:15W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD878T4 功能描述:TRANS NPN 30V 5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:15W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD86N3LH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1850pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD85N3LH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1850pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STD85N10F7AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 70A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3100pF @ 50V 功率 - 最大值:85W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD90N02L-1 STD90N03L STD90N03L-1 STD90N4F3 STD90NH02LT4 STD90NS3LLH7 STD95N04 STD95N2LH5 STD95N3LLH6 STD95N4F3 STD95N4LF3 STD95NH02LT4 STD96N3LLH6 STD9HN65M2 STD9N40M2 STD9N60M2 STD9N65M2 STD9N80K5
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