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STD9N65M2

配单专家企业名单
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  • STD9N65M2
    STD9N65M2

    STD9N65M2

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人：张先生

    电话：0755-23903058

    地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • ST/意法

  • TO252

  • 22+

  • -

  • 每一片都来自原厂，正品保证

  • STD9N65M2
    STD9N65M2

    STD9N65M2

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人：张小姐

    电话：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质：营业执照

  • 6005

  • ST/意法半导体

  • TO-252-3

  • 22+

  • -

  • 原装正品现货 可开增值税发票

  • STD9N65M2
    STD9N65M2

    STD9N65M2

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人：彭先生

    电话：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28

    资质：营业执照

  • 6000

  • ST

  • TO-252

  • 22+

  • -

  • 十年配单，只做原装

  • STD9N65M2
    STD9N65M2

    STD9N65M2

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-252

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • STD9N65M2
    STD9N65M2

    STD9N65M2

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人：竺小姐

    电话：15961889150

    地址：江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质：营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • DPAK/TO-252

  • 25+

  • -

  • 国产品牌，替代进口

  • STD9N65M2
    STD9N65M2

    STD9N65M2

  • 深圳市铭昌源科技有限公司
    深圳市铭昌源科技有限公司

    联系人：优质现货代理商

    电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生

    地址：深圳市福田区振兴路上步商务中心大厦205栋5A10

    资质：营业执照

  • 61991

  • STMicroelectronics

  • SMD

  • 22+

  • -

  • 优势代理，公司现货可开票

  • STD9N65M2
    STD9N65M2

    STD9N65M2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • STD9N65M2
    STD9N65M2

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 12500

  • STMICROEL

  • 1521+

  • -

  • 全新原装现货

  • STD9N65M2
    STD9N65M2

    STD9N65M2

  • 深圳市鹏威尔科技有限公司
    深圳市鹏威尔科技有限公司

    联系人：胡庆伟

    电话：13138879988

    地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号 富源商贸中心D栋601

  • 2500

  • STM

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh??
  • 包装
  • 剪切带（CT）
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压（Vdss）
  • 650V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
  • 5A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
  • 900 毫欧 @ 2.5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
  • 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
  • 10nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
  • 315pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
  • 60W
  • 工作温度
  • 150°C（TJ）
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商器件封装
  • DPAK
  • 标准包装
  • 1
STD9N65M2 技术参数
  • STD9N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:780 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:320pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD9N40M2 功能描述:MOSFET N-CH 400V 6A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:800 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:270pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD9HN65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:820 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:325pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK 标准包装:1 STD96N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.2 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2200pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:DPAK-3 标准包装:1 STD95NH02LT4 功能描述:MOSFET N-CH 24V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:24V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2070pF @ 15V 功率 - 最大值:100W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STDC-005 STDC-102 STDC-103 STDC-104 STDC-105 STD-CX STDD15-05WFILM STDH2-KIT ST-DIESET-FRONT-TYPE(01) ST-DIESET-FRONT-TYPE(02) ST-DIESET-FRONT-TYPE(03) ST-DIESET-FRONT-TYPE(04) STDLED524 STDLED623 STDLED625 STDLED625H STDLED627 STDLED656
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