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STF13N50Z

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  • STF13N50Z
    STF13N50Z

    STF13N50Z

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • ST

  • TO-220F

  • 最新批号

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  • 代理此型号,原装特价现货!!

  • STF13N50Z
    STF13N50Z

    STF13N50Z

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ST

  • TO-220F

  • 15+

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  • 原装正品,假一罚十

  • STF13N50Z
    STF13N50Z

    STF13N50Z

  • 深圳市芯驰科技有限公司
    深圳市芯驰科技有限公司

    联系人:丁皓鹏

    电话:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331

    资质:营业执照

  • 10000

  • SIS

  • SO-8

  • 15+

  • -
  • 原装正品,价格优势!

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STF13N50Z PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
STF13N50Z 技术参数
  • STF130N10F3 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):46A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9.6 毫欧 @ 23A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3305pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF12NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):410 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):30.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):960pF @ 50V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF12NM50ND 功能描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):380 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):850pF @ 50V 功率 - 最大值:25W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF12NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):380 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):940pF @ 50V 功率 - 最大值:25W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF12NK65Z 功能描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):700 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):62.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1837pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF13NM60N-H STF140N6F7 STF140N8F7 STF14N80K5 STF14NM50N STF14NM65N STF150N10F7 STF15100 STF15100C STF15150 STF15200 STF1545C STF1560 STF15N60M2-EP STF15N65M5 STF15N80K5 STF15N95K5 STF15NM60N
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