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STF16360EN

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

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    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

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    资质:营业执照

  • 5000

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  • QFP44

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  • 假一罚十,百分百原装正品

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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-88608801多线17727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

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  • 功能描述
  • STF16360EN是一种静态VFD驱动电路,带有36个高压驱动端口,可直接驱动静态VFD。
STF16360EN 技术参数
  • STF15NM65N 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):380 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):33.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):983pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF15NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):299 毫欧 @ 7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):37nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1250pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF15N95K5 功能描述:MOSFET N-CH 950V 12A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):950V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):500 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):900pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF15N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 14A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):375 毫欧 @ 7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):32nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1100pF @ 100V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF15N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):340 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):816pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF17N62K3 STF17N80K5 STF17NF25 STF18N55M5 STF18N60DM2 STF18N60M2 STF18N65M2 STF18N65M5 STF18NM60N STF18NM60ND STF18NM80 STF19NF20 STF19NM50N STF19NM65N STF20100 STF20100C STF20120C STF20120CR
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