STF18NM60ND全国供应商 STF18NM60ND资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STF18NM60ND
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
ST
TO-220F
22+
-
十年配单，只做原装

STF18NM60ND
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：竺小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-220F
25+
-
国产品牌，替代进口

STF18NM60ND
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
6006
ST/意法半导体
TO-220-3
21+
-
原装正品现货可开增值税发票

STF18NM60ND
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
885000
YXYBDT台湾
TO-220F
2024+
-
代理台湾YXYBDT.现货

STF18NM60ND
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
TO-220FP
18+
-
MOSFET N-CH 600V 13A...

STF18NM60ND
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
1385
STMICROEL
1521+
-
全新原装现货

STF18NM60ND
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3526
ST
TO-220FP
14+
-
原装正品，现货库存，400-800-03...

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1

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制造商
STMicroelectronics
功能描述
POWER MOSFET - Rail/Tube
制造商
STMicroelectronics
功能描述
MOSFET N-CH 600V 13A TO-220FP
制造商
STMicroelectronics
功能描述
MOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A Fdmesh II

STF18NM60ND 技术参数

STF18NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:285 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1000pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF18N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:220 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:31nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1240pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF18N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:330 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:770pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF18N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:791pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF18N55M5 功能描述:MOSFET N-CH 550V 13A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:550V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:192 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:31nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1260pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF20150CR STF20200C STF202-22T1 STF202-22T1G STF203-15.TCT STF203-22.TCT STF203-33.TCT STF2045C STF2050C STF2060C STF2060CR STF20N20 STF20N60M2-EP STF20N65M5 STF20N90K5 STF20N95K5 STF20NF06 STF20NF06L