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STF21N65M5-H

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    STF21N65M5-H

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  • 深圳市煌盛达科技有限公司
    深圳市煌盛达科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13823538694

    地址:平湖华南城华利嘉

    资质:营业执照

  • 12000

  • ST MICROELECTRONICS SEMI

  • 原厂原封装

  • 20+

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  • 原装库存,全新进口,可电13689551...

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STF21N65M5-H PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
STF21N65M5-H 技术参数
  • STF21N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 17A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):190 毫欧 @ 8.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1950pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF20NM65N 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):270 毫欧 @ 7.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):44nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1280pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF20NK50Z 功能描述:MOSFET N-CH 500V 17A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):270 毫欧 @ 8.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):119nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2600pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF20NF20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):125 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):39nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):940pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF20NF06 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):400pF @ 25V 功率 - 最大值:28W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF23NM60ND STF24N60DM2 STF24N60M2 STF24N65M2 STF24NM60N STF24NM65N STF25N10F7 STF25N60M2-EP STF25N80K5 STF25NM50N STF25NM60N STF25NM60ND STF26N60M2 STF26NM60N STF26NM60ND STF26NM60N-H STF27N60M2-EP STF28N60DM2
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