STGWT20H65FB全国供应商 STGWT20H65FB资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

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说明
操作

STGWT20H65FB
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
ST
TO-3P
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STGWT20H65FB
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
TO-3P
18+
-
IGBT 650V 40A 168W T...

STGWT20H65FB
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

STGWT20H65FB
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-3PB
25+
-
国产品牌，替代进口

STGWT20H65FB
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
1475
STMICROEL
管件
1521+
-
全新原装现货

STGWT20H65FB
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
6003
ST/意法半导体
TO-3P
22+
-
原装正品现货可开增值税发票

STGWT20H65FBIC
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
8000
ST/意法
TO-3P
24+
-
优势供应品质保障可开13点发票

STGWT20H65FB
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3685
ST
TO-3P
2219+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
IGBT 650V 40A 168W TO3P
制造商
stmicroelectronics
系列
-
包装
管件
零件状态
有效
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
40A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
80A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）
2V @ 15V，20A
功率 - 最大值
168W
开关能量
77μJ（开），170μJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
120nC
25°C 时 Td（开/关）值
30ns/139ns
测试条件
400V，20A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
-
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-3P
标准包装
30

STGWT20H65FB 技术参数

STGWT20H60DF 功能描述:IGBT 600V 40A 167W TO3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 开关能量:209μJ（开），261μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:115nC 25°C 时 Td（开/关）值:42.5ns/177ns 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:90ns 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 STGWT15H60F 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT H SE 制造商:stmicroelectronics 系列:H 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，15A 功率 - 最大值:115W 开关能量:136μJ（开），207μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:81nC 25°C 时 Td（开/关）值:24.5ns/118ns 测试条件:400V，15A，10 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 STGWS38IH130D 功能描述:IGBT 1300V 55A 180W TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1300V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:55A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):125A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.8V @ 15V，20A 功率 - 最大值:180W 开关能量:3.4mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:127nC 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns 测试条件:960V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STGWF30NC60S 功能描述:IGBT 600V 35A 79W TO3P 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:35A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，20A 功率 - 最大值:79W 开关能量:300μJ（开），1.28mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:96nC 25°C 时 Td（开/关）值:21.5ns/180ns 测试条件:480V，20A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-3P-3 整包安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 STGWA80H65FB 功能描述:IGBT 650V 120A 469W TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:120A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):240A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，80A 功率 - 最大值:469W 开关能量:2.1mJ（开），1.5mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:414nC 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 长引线标准包装:30 STGWT38IH130D STGWT40H60DLFB STGWT40H65DFB STGWT40H65FB STGWT40HP65FB STGWT40V60DF STGWT40V60DLF STGWT60H60DLFB STGWT60H65DFB STGWT60H65FB STGWT60V60DF STGWT60V60DLF STGWT80H65DFB STGWT80H65FB STGWT80V60DF STGWT80V60F STGY40NC60VD STGY50NC60WD

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