STL120N4F6AG全国供应商 STL120N4F6AG资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

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STL120N4F6AG
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生 13360533550
电话：0755-83289799
地址：深圳市福田区深南中路汉国城市商业中心55层香港新界葵兴葵康大厦6楼
资质：营业执照
13856
22+
-
原装原厂现货

STL120N4F6AG
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
ST
DFN5X6
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STL120N4F6AG
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
6000
ST/意法半导体
PowerFLAT-5x6-8
22+
-
原装正品现货可开增值税发票

STL120N4F6AG
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

STL120N4F6AG
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
PowerFlat?（5x6）
18+
-
MOSFET N-CH 40V 55A ...

STL120N4F6AG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
12960
STMICROEL
DIGI-REEL?
1521+
-
全新原装现货

STL120N4F6AG
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
20
STM
ORIGONAL
16+
-
0.78116 USD,szpoweri...

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功能描述
MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLAT
制造商
stmicroelectronics
系列
汽车级，AEC-Q101，STripFET? F6
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
55A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
3.6 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
63nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
3700pF @ 25V
功率 - 最大值
96W
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线
供应商器件封装
PowerFlat?（5x6）
标准包装
1

STL120N4F6AG 技术参数

STL120N2VH5 功能描述:MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 毫欧 @ 14A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 2.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4660pF @ 15V 功率 - 最大值:80W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL11N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1035pF @ 30V 功率 - 最大值:48W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（3.3x3.3）标准包装:1 STL11N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 9A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:530 毫欧 @ 4.25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:644pF @ 100V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFLAT?（5x5）标准包装:1 STL11N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 STL11N4LLF5 功能描述:MOSFET N-CH 40V 11A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.7 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1570pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（3.3x3.3）标准包装:1 STL12N60M2 STL12N65M2 STL12N65M5 STL12P6F6 STL130N6F7 STL130N8F7 STL-1-350-3-01 STL-1-350-8-01 STL135N8F7AG STL13DP10F6 STL13N60DM2 STL13N60M2 STL13N65M2 STL13NM60N STL140N4F7AG STL140N4LLF5 STL140N6F7 STL-1-450-3-01

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