STL13N60M2全国供应商 STL13N60M2资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

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型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STL13N60M2
现货
上海航霆电子技术有限公司
上海航霆电子技术有限公司
联系人：林生18701789587
电话：0755-8374259418701789587
地址：上海徐汇区漕溪路222号航天大厦16层
6000
STM
SOP
20+
-
全新原厂原装正品，只做原装，可开增票

STL13N60M2
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
ST/意法
POWERFLAT5X6
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

STL13N60M2
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
集成电路（IC）

STL13N60M2
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
12000
ST/意法
NA
20+
-
12000

STL13N60M2
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
集成电路（IC）

STL13N60M2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

STL13N60M2
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
PowerFlat?（5x6）
18+
-
MOSFET N-CH 600V 7A ...

STL13N60M2
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
14475
STMICROEL
剪切带（CT
1521+
-
全新原装现货

STL13N60M2
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
3000
ST/意法
NA
22+
-
可订货，请确认

STL13N60M2
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
3000
STM
PowerFLAT-5x6-8
20+
-
瑞智芯只有原装

STL13N60M2
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
9000
STM
PowerFLAT-5x6-8
20+
-
原装现货，假一赔百,支持实单

STL13N60M2
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
联系人：吴
电话：18320850923
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场1713室
9000
STM
PowerFLAT-5x6-8
20+
-
只做原装，型号齐全，价格优惠。

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功能描述
MOSFET N-CH 600V 7A PWRFLAT56
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh? II Plus
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
7A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
420 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
580pF @ 100V
功率 - 最大值
55W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
PowerFlat?（5x6）
标准包装
1

STL13N60M2 技术参数

STL13N60DM2 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.350 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:370 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:730pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL13DP10F6 功能描述:MOSFET 2P-CH 100V 13A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 1.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:864pF @ 25V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL135N8F7AG 功能描述:MOSFET N-CH 80V 130A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101，STripFET? F7 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.6 毫欧 @ 13A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:103nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6800pF @ 40V 功率 - 最大值:135W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL130N8F7 功能描述:MOSFET N-CH 80V POWERFLAT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.6 毫欧 @ 13A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:96nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6340pF @ 40V 功率 - 最大值:135W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL130N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 130A F7 8PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 毫欧 @ 13A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2600pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL15DN4F5 STL15N3LLH5 STL15N60M2-EP STL15N65M5 STL-1-600-3-01 STL-1-600-8-01 STL160N3LLH6 STL160N4F7 STL160NS3LLH7 STL16N1VH5 STL16N60M2 STL16N65M2 STL16N65M5 STL-1-750-3-01 STL-1-750-8-01 STL17N3LLH6 STL17N65M5 STL18N55M5

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