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STL150N3LLH6

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
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  • STL150N3LLH6
    STL150N3LLH6

    STL150N3LLH6

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人：彭先生

    电话：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28

    资质：营业执照

  • 6000

  • ST

  • DFN56

  • 22+

  • -

  • 十年配单，只做原装

  • STL150N3LLH6
    STL150N3LLH6

    STL150N3LLH6

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人：李林

    电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3

    地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

    资质：营业执照

  • 18530

  • STMICROELECTRONICS

  • PowerF..

  • 23+

  • -

  • 全新原装正品现货

  • STL150N3LLH6
    STL150N3LLH6

    STL150N3LLH6

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • ST

  • QFN

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • STL150N3LLH6
    STL150N3LLH6

    STL150N3LLH6

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人：张先生

    电话：0755-23903058

    地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • ST/意法

  • DFN5X6

  • 22+

  • -

  • 每一片都来自原厂，正品保证

  • STL150N3LLH6
    STL150N3LLH6

    STL150N3LLH6

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 10000

  • 有30000个ST

  • DFN56

  • 2016+

  • -

  • 原装正品，假一罚十

  • STL150N3LLH6
    STL150N3LLH6

    STL150N3LLH6

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

    资质：营业执照

  • 5000

  • ST

  • QFN8

  • 09+

  • -

  • 假一罚十，百分百原装正品

  • STL150N3LLH6
    STL150N3LLH6

    STL150N3LLH6

  • 深圳市硅宇电子有限公司
    深圳市硅宇电子有限公司

    联系人：唐先生

    电话：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503

    资质：营业执照

  • 668

  • ST

  • QFN8

  • 0923+PB

  • -

  • 原装现货/特价

  • STL150N3LLH6
    STL150N3LLH6

    STL150N3LLH6

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话：0755-88608801多线17727932378

    地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 11630

  • ST

  • 原厂原装

  • 18+

  • -

  • 原装正品，优势供应

  • STL150N3LLH6
    STL150N3LLH6

    STL150N3LLH6

  • 深圳市欧和宁电子有限公司
    深圳市欧和宁电子有限公司

    联系人：李先生

    电话：0755-292759351581559886118576729816

    地址：广东省 深圳市 福田区 华强北赛格科技园6C18室

  • 69800

  • ST

  • 近两年生产

  • 8-PowerVDF

  • -

  • 每一片都来自原厂

  • STL150N3LLH6
    STL150N3LLH6

    STL150N3LLH6

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人：陈小姐

    电话：0755-8320801015711992892

    地址：都会轩3607

    资质：营业执照

  • 86900

  • STMicroelectronics

  • PowerFlat?（6x5）

  • 18+

  • -

  • MOSFET NCH 30V 150A ...

  • STL150N3LLH6
    STL150N3LLH6

    STL150N3LLH6

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 1500

  • ST

  • QFN8

  • 10+

  • -

  • 全新原装现货

  • STL150N3LLH6
    STL150N3LLH6

    STL150N3LLH6

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：何芝

    电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 3526

  • ST

  • PowerFlat?（6x5）

  • 14+

  • -

  • 原装正品，现货库存，400-800-03...

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 33A PWRFLT DEEPGATE
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
STL150N3LLH6 技术参数
  • STL150N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A POWERFLAT6X5 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:195A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.75 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5800pF @ 25V 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（6x5） 标准包装:1 STL140N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 145A 8PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:145A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 毫欧 @ 16A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2700pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6） 标准包装:1 STL140N4LLF5 功能描述:MOSFET N-CH 40V 140A PWRFLAT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:140A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.75 毫欧 @ 16A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5900pF @ 25V 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6） 标准包装:1 STL140N4F7AG 功能描述:POWER TRANSISTORS 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件状态:新产品 标准包装:1 STL13NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:385 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:790pF @ 50V 功率 - 最大值:90W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-PowerFlat? HV 供应商器件封装:PowerFlat?（8x8） HV 标准包装:1 STL16N1VH5 STL16N60M2 STL16N65M2 STL16N65M5 STL-1-750-3-01 STL-1-750-8-01 STL17N3LLH6 STL17N65M5 STL18N55M5 STL18N60M2 STL18N65M2 STL18N65M5 STL18NM60N STL190N4F7AG STL19N60DM2 STL19N60M2 STL19N65M5 STL200N45LF7
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