STP43N60DM2全国供应商 STP43N60DM2资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

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封装
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价格
说明
操作

STP43N60DM2
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
ST
TO-220AB
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STP43N60DM2
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
357245
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

STP43N60DM2
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
357245
STMICROELECTRONICS
con
24+
-

STP43N60DM2
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
357245
STMICROELECTRONICS
con
24+
-

STP43N60DM2
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
986
ST
TO-220
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

STP43N60DM2
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
10000
ST/意法
23+
-
深圳

STP43N60DM2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

STP43N60DM2
深圳市百润电子有限公司
深圳市百润电子有限公司
联系人：梁
电话：17876146278
地址：沙头街道下沙社区滨河路9289号下沙村京基滨河时代广场D1栋26A
1500
AD
SOT223
23+
-
全新原装正品*海量现货库存*全网最低

STP43N60DM2
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
TO-220
18+
-
MOSFET N-CH 600V 34A

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功能描述
MOSFET N-CH 600V 34A
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh? DM2
包装
管件
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
34A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
93 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
56nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
2500pF @ 100V
功率 - 最大值
250W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220
标准包装
50

STP43N60DM2 技术参数

STP42N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 33A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:79 毫欧 @ 16.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4650pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 STP42N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A EP TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:34A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:87 毫欧 @ 17A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2370pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 STP40NF20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 40A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:75nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2500pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP40NF12 功能描述:MOSFET N-CH 120V 40A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:120V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:32 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1880pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP40NF10L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:33 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:64nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2300pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP4LN80K5 STP4N150 STP4N52K3 STP4N62K3 STP4N80K5 STP4N90K5 STP4NB100 STP4NB50 STP4NB80 STP4NK50Z STP4NK50ZD STP4NK50ZFP STP4NK60Z STP4NK60ZFP STP4NK80Z STP4NK80ZFP STP50NE08 STP50NE10