STP8N50

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STP8N50XI
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
4275000
ST
TO-220
2025+
-
代理商库房现货

STP8N50FP
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
100
ST
TO220
假一赔十！
-
绝对原装现货！！

STP8N50
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
ST
TO-220
04+
-
假一罚十，百分百原装正品

1/1页 40条/页共12条
1

您是不是要找： STP8N65M5 STP8N80K5 STP8N90K5 STP8NK100Z STP8NK80Z STP8NK80ZFP STP8NK85Z STP8NM50 STP8NM50FP

STP8N50 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

STP8N50 技术参数

STP85NF55L 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:110nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4050pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP85NF55 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3700pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP85N3LH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.4 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1850pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP80PF55 功能描述:MOSFET P-CH 55V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:18 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:258nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP80NF70 功能描述:MOSFET N-CH 68V 98A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:68V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:98A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.8 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:75nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2550pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP8NM50N STP8NM60 STP8NM60D STP8NM60FP STP8NM60N STP8NM60ND STP8NS25 STP8NS25FP STP90N4F3 STP90N55F4 STP90N6F6 STP90NF03L STP95N04 STP95N2LH5 STP95N3LLH6 STP95N4F3 STP9N60M2 STP9N65M2