STQ2N62K3-AP全国供应商 STQ2N62K3-AP资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

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价格
说明
操作

STQ2N62K3-AP
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
18210
ST
TO-92
24+
-
全新原装正品现货热卖

STQ2N62K3-AP
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：高先生/周小姐/曹先生
电话：185208051481376027201713487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
67826
STMicroelectronics
-
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

STQ2N62K3-AP
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
TO-92
18+
-
MOSFET N-CH 620V 2.2...

STQ2N62K3-AP
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
8590
STMICROEL
1521+
-
全新原装现货

STQ2N62K3-AP
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3526
ST
14+
-
原装正品，现货库存，400-800-03...

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功能描述
MOSFET N-Ch 620V 2.95 Ohm 2.2A SuperMESH
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

STQ2N62K3-AP 技术参数

STQ2LN60K3-AP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.6A TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:600mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:235pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1 STQ2HNK60ZR-AP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.8 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:280pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1 STQ1NK80ZR-AP 功能描述:MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:160pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1 STQ1NK60ZR-AP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:带盒（TB）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 欧姆 @ 400mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:94pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 STQ1HNK60R-AP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:400mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:156pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1 STQN1553-2 STQN1553-3 STQN1553-45 STQN1553-5 STR05S05 STR05S05-TR STR05S09 STR05S12 STR05S12-TR STR05S15 STR05S1V5 STR05S1V8 STR05S2V5 STR05S3V3 STR05S3V3-TR STR05S6V5 STR-15 STR1550