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STR02

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  • 功能描述
  • DIP 开关/ SIP 开关 DPDT 2POS R/A SLIDE SIP SWITCH
  • RoHS
  • 制造商
  • Omron Electronics
  • 位置数量
  • 10
  • 开关类型
  • DIP
  • 执行器
  • Rotary
  • 端子节距
  • 2.54 mm
  • 触点形式
  • 端接类型
  • Solder Pin
  • 电流额定值
  • 100 mA
  • 电压额定值 DC
  • 工作温度范围
  • 安装
  • Through Hole
STR02 技术参数
  • STQ3NK50ZR-AP 功能描述:MOSFET N-CH 500V 500MA TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.3 欧姆 @ 1.15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):280pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 STQ3N45K3-AP 功能描述:MOSFET N-CH 450V 600MA TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):450V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):600mA(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.8 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):150pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1 STQ2NK60ZR-AP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):400mA(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 欧姆 @ 700mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):170pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 STQ2LN60K3-AP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.6A TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):600mA(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):235pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1 STQ2HNK60ZR-AP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.8 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):280pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1 STR05S3V3 STR05S3V3-TR STR05S6V5 STR-15 STR1550 STR1P2UH7 STR2550 STR2N2VH5 STR2P3LLH6 STR2W152D STR2W153D STR-35 STR3A151 STR3A151D STR3A152 STR3A152D STR3A153 STR3A153D
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