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STS20N3LLH6

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  • STS20N3LLH6
    STS20N3LLH6

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

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  • 深圳市硅宇电子有限公司
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    联系人:唐先生

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  • 深圳市华芯源电子有限公司
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    联系人:张小姐

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

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  • 3000

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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    联系人:刘先生

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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

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  • 11630

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  • 原厂原装

  • 18+

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

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    资质:营业执照

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

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  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch 40V 0.00625 Ohm 15A, S0-8 STripFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
STS20N3LLH6 技术参数
  • STS2 功能描述:TOOL CABLE TIE 制造商:panduit corp 系列:- 零件状态:有效 类型:焊枪 特性:人体工学扭断 配套使用产品/相关产品:小型,中型和标准扎带;0.100" ~ 0.190" (2.54mm ~ 4.83mm) 宽 标准包装:1 STS1TXQTR 功能描述:RF Transmitter ASK, FSK, GFSK, MSK, OOK 169MHz, 315MHz, 433MHz, 868MHz, 915MHz 16dBm 500kbps PCB, Surface Mount Antenna 20-VQFN Exposed Pad 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 频率:169MHz,315MHz,433MHz,868MHz,915MHz 应用:住宅/楼宇自动化,工业控制和监控 调制或协议:ASK,FSK,GFSK,MSK,OOK 数据速率(最大值):500kbps 功率 - 输出:16dBm 电流 - 传输:21mA 数据接口:PCB,表面贴装 天线连接器:PCB,表面贴装 存储容量:- 特性:- 电压 - 电源:1.8 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-VQFN 裸露焊盘 标准包装:1 STS1NK60Z 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.25A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):250mA(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 欧姆 @ 400mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):94pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS1HNK60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):300mA(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):156pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS1DNC45 功能描述:MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):450V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):400mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):160pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS250PC STS25NH3LL STS25NH3LL-E STS260PC STS26N3LLH6 STS2DNF30L STS2DPF80 STS2DPFS20V STS-30-DIS STS30N3LLH6 STS-31-DIS STS3C2F100 STS3DNE60L STS3DPF60L STS3P6F6 STS4C3F60L STS4DNF30L STS4DNF60
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