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STTH10L60CFP

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STTH10L60CFP
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
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STTH10L60CFP 技术参数

STTH10BC065CT 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 650V 5A Through Hole TO-220-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管配置:1 对共阴极二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:3.2V @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:70ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2.5μA @ 650V 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STTH108A 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A SMA 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.65V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA（DO-214AC）工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH108 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.65V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH106 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:45ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH102RL 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:970mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:20ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH10R04FP STTH10R04G STTH10R04G-TR STTH110 STTH110A STTH110RL STTH110UFY STTH112 STTH112A STTH112RL STTH112U STTH112UFY STTH12002TV1 STTH12003TV1 STTH12004TV1 STTH12010TV1 STTH12012TV1 STTH12012TV2