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STTH4R06DEE-TR
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/高先生
电话：1376027201718520805148
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
60381
STMicroelectronics
PowerFLAT 3.3 x 3.3
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

STTH4R06DEE-TR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
全新库存现货电话010-6210493...

STTH4R06DEE-TR
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
PowerFlat?（3.3x3.3）
18+
-
DIODE GEN PURP 600V ...

STTH4R06DEE-TR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
13605
STMICROEL
1521+
-
全新原装现货

STTH4R06DEE-TR
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
3000
STM
ORIGONAL
16+
-
0.41418 USD,szpoweri...

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制造商
STMICROELECTRONICS
制造商全称
STMicroelectronics
功能描述
Turbo 2 ultrafast recovery diode

STTH4R06DEE 技术参数

STTH4R02UY 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 4A SMB 制造商:stmicroelectronics 系列:Q 汽车级包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.05V @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:1 STTH4R02U 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 4A SMB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.05V @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH4R02SY 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 4A SMC 制造商:stmicroelectronics 系列:Q 汽车级包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.05V @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:SMC 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:1 STTH4R02S 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 4A SMC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.05V @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:SMC 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH4R02RL 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:4A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 12A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AB，DO-32，轴向供应商器件封装:DO-201AB 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 STTH512B STTH512B-TR STTH512D STTH512FP STTH5BCF060 STTH5L04DEE-TR STTH5L06 STTH5L06B STTH5L06B-TR STTH5L06D STTH5L06FP STTH5L06RL STTH5R06B STTH5R06B-TR STTH5R06BY-TR STTH5R06D STTH5R06DJF-TR STTH5R06FP

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