STV222S.PRC1=PCA84C444P/168S1

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STV222S.PRC1=PCA84C444P/168S1 技术参数

STV2050A 功能描述:视频 IC Digital Conv Procssr RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 工作电源电压:5 V 电源电流:80 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TSSOP-28 封装:Reel STV200N55F3 功能描述:MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 毫欧 @ 75A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘供应商器件封装:10-PowerSO 标准包装:600 STV160NF03LT4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:160A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 毫欧 @ 80A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4700pF @ 25V 功率 - 最大值:210W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘供应商器件封装:10-PowerSO 标准包装:1 STV160NF02LT4 功能描述:MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:160A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 毫欧 @ 80A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:160nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4800pF @ 15V 功率 - 最大值:210W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘供应商器件封装:10-PowerSO 标准包装:1 STV0976 功能描述:IC COPROCESSOR DGTL SMIA 56TFBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 专用 IC 系列:* 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 标准包装:1 系列:- 类型:调帧器应用:数据传输安装类型:表面贴装封装/外壳:400-BBGA 供应商设备封装:400-PBGA（27x27）包装:散装 STV6412ADT STV6413DT STV-6501C-D01 STV6618D STV-674/100T-E01 STV-674/501C-R01 STV-674/502V-R01 STV-676/501C-R01 STV-676/502S-R01 STV-676-E01 STV-684-E02 STV8131 STV8163 STV8164 STV8206 STV8216 STV-974/552S-R01 STV-974/552S-R02