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STW70N60DM2

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
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  • STW70N60DM2
    STW70N60DM2

    STW70N60DM2

    现货
  • 上海航霆电子技术有限公司
    上海航霆电子技术有限公司

    联系人：林生18701789587

    电话：0755-8374259418701789587

    地址：上海徐汇区漕溪路222号航天大厦16层

  • 6000

  • ST

  • DO 220

  • 20+

  • -

  • 全新原厂原装正品，只做原装，可开增票

  • STW70N60DM2
    STW70N60DM2

    STW70N60DM2

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人：张先生

    电话：0755-23903058

    地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • ST/意法

  • TO247

  • 22+

  • -

  • 每一片都来自原厂，正品保证

  • STW70N60DM2
    STW70N60DM2

    STW70N60DM2

  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
    深圳市亚泰盈科电子有限公司

    联系人：郑女士

    电话：15338868823

    地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010

    资质：营业执照

  • 1224

  • ST/意法

  • TO-247-3

  • 20+

  • -

  • 10万条库存数据

  • STW70N60DM2
    STW70N60DM2

    STW70N60DM2

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人：吴经理

    电话：18138401919

    地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • ST

  • TO-247-3

  • 2021+

  • -

  • ★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

  • STW70N60DM2
    STW70N60DM2

    STW70N60DM2

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人：张小姐

    电话：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B

    资质：营业执照

  • 9600

  • ST

  • TO 247

  • 21+

  • -

  • 原装正品现货 可开增值税发票

  • STW70N60DM2
    STW70N60DM2

    STW70N60DM2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • STW70N60DM2
    STW70N60DM2

    STW70N60DM2

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人：许先生

    电话：18898761413

    地址：华强北都会轩4507

    资质：营业执照

  • 5000

  • ST/意法

  • TO-247-3

  • 24+

  • -

  • 优势供应 品质保障 可开13点发票

  • STW70N60DM2
    STW70N60DM2

    STW70N60DM2

  • 东莞鼎岑科技有限公司
    东莞鼎岑科技有限公司

    联系人：莫

    电话：18925581989

    地址：广东省东莞市塘厦镇林村大道445号北钜业大夏319室

  • 3600

  • ST

  • 21+

  • -

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  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 66A
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh? DM2
  • 包装
  • 管件
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压（Vdss）
  • 600V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
  • 66A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
  • 42 毫欧 @ 33A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
  • 5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
  • 121nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
  • 5508pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
  • 446W
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-247-3
  • 供应商器件封装
  • TO-247
  • 标准包装
  • 30
STW70N60DM2 技术参数
  • STW70N10F4 功能描述:MOSFET N-CH 100V 65A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:65A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19.5 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:85nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5800pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW6N95K5 功能描述:MOSFET N-CH 950V 9A TO-274 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:950V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.25 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:450pF @ 100V 功率 - 最大值:90W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW6N90K5 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA Vgs（最大值）:±30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:110W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.1 欧姆 @ 3A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 STW6N120K3 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV） 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.4 欧姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1050pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW69N65M5-4 功能描述:MOSFET N-CH 650V 58A TO-247-4 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:58A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 29A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:143nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6420pF @ 100V 功率 - 最大值:330W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-4 供应商器件封装:TO-247-4L 标准包装:30 STW7N105K5 STW7N90K5 STW7N95K3 STW7NK90Z STW80H150C STW80NE06-10 STW80NF06 STW80NF55-08 STW81100AT-1 STW81100ATR-1 STW81101AT STW81101ATR STW81102AT STW81103AT STW81200T STW81200TR STW82100BTR STW82101B
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