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STN3NF06

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  • STN3NF06L
    STN3NF06L

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  • 深圳市柏新电子科技有限公司
    深圳市柏新电子科技有限公司

    联系人：林小姐//方先生

    电话：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知

  • 3500

  • STM

  • 2012+

  • -

  • 只做原装正品。

  • STN3NF06
    STN3NF06

    STN3NF06

  • 深圳市品业电子有限公司
    深圳市品业电子有限公司

    联系人：李小姐

    电话：0755-23895664

    地址：华强街道振华路深纺大厦C座2楼2H55

  • 45157

  • ST

  • SOT223

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  • 甄芯网
    甄芯网

    联系人：柯

    电话：0755-836658130755-83465652

    地址：深南中路佳和大厦B座907

  • 30

  • ST

  • SOT-223

  • 0706+

  • -

  • █100%现货█可开17%增票█可申请免...

  • STN3NF06L
    STN3NF06L

    STN3NF06L

  • 深圳市鹏威尔科技有限公司
    深圳市鹏威尔科技有限公司

    联系人：胡庆伟

    电话：13138879988

    地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号 富源商贸中心D栋601

  • 2844

  • STM

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -

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  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch 30 Volt 3 Amp
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
STN3NF06 技术参数
  • STN3N45K3 功能描述:MOSFET N-CH 450V 0.6A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:450V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:600mA（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.8 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN3N40K3 功能描述:MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.8A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.4 欧姆 @ 600mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:165pF @ 50V 功率 - 最大值:3.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN2NF10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.4A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:260 毫欧 @ 1.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:280pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN2580 功能描述:TRANS NPN 400V 1A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 250mA，5V 功率 - 最大值:1.6W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN1NK80Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:250mA（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:160pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 STN724 STN749 STN790A STN817A STN83003 STN851 STN851-A STN878 STN888 STN9260 STN93003 STN9360 STN951 STNRG288A STNRG288ATR STNRG328A STNRG328ATR STNRG388A
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