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STS2

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  • 功能描述
  • 手工工具 ECON CABLE TIE TOOL
  • RoHS
  • 制造商
  • Molex
  • 产品
  • Extraction Tools
  • 类型
  • 描述/功能
  • Extraction tool
STS2 技术参数
  • STS1TXQTR 功能描述:RF Transmitter ASK, FSK, GFSK, MSK, OOK 169MHz, 315MHz, 433MHz, 868MHz, 915MHz 16dBm 500kbps PCB, Surface Mount Antenna 20-VQFN Exposed Pad 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 频率:169MHz,315MHz,433MHz,868MHz,915MHz 应用:住宅/楼宇自动化,工业控制和监控 调制或协议:ASK,FSK,GFSK,MSK,OOK 数据速率(最大值):500kbps 功率 - 输出:16dBm 电流 - 传输:21mA 数据接口:PCB,表面贴装 天线连接器:PCB,表面贴装 存储容量:- 特性:- 电压 - 电源:1.8 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:20-VQFN 裸露焊盘 标准包装:1 STS1NK60Z 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.25A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):250mA(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 欧姆 @ 400mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):94pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS1HNK60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):300mA(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):156pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS1DNC45 功能描述:MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):450V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):400mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):160pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS1DN45K3 功能描述:MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):450V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.8 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):150pF @ 25V 功率 - 最大值:1.3W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 STS240PC STS250PC STS25NH3LL STS25NH3LL-E STS260PC STS26N3LLH6 STS2DNF30L STS2DPF80 STS2DPFS20V STS-30-DIS STS30N3LLH6 STS-31-DIS STS3C2F100 STS3DNE60L STS3DPF60L STS3P6F6 STS4C3F60L STS4DNF30L
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