10A10-B

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

10A10-BP
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
22+
-
全新原装现货供应

10A10-B
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/高先生/曹先生
电话：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
80872
Rectron
Case R-6
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

10A10-B
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3380
RECTRON
1521+
-
全新原装现货

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： 10AMPS-CSTKIT 10AS016C3U19E2LG 10AS016C3U19E2SG 10AS016C3U19I2LG 10AS016C3U19I2SG 10AS016C4U19E3LG 10AS016C4U19E3SG 10AS016C4U19I3LG 10AS016C4U19I3SG

10A10-B PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

10A10-B PDF下载

功能描述
整流器 10A 1000V
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向电压
100 V
正向电压下降
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A
反向电流 IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-221AC
封装
Reel

10A10-B 技术参数

10A07-T 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 10A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:80pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 10A06-T 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 10A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:80pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:500 10A060 功能描述:TRANS RF BIPO 21W 3A 55FT-2 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:24V 频率 - 跃迁:1GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:8dB ~ 8.5dB 功率 - 最大值:21W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 400mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 工作温度:200°C（TJ）安装类型:接线柱安装封装/外壳:55FT 供应商器件封装:55FT 标准包装:1 10A05-T 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 10A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:80pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 10A04-T 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 10A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 10A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:150pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R6，轴向供应商器件封装:R-6 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 10AS016E3F27E1HG 10AS016E3F27E1SG 10AS016E3F27E2LG 10AS016E3F27E2SG 10AS016E3F27I1HG 10AS016E3F27I1SG 10AS016E3F27I2LG 10AS016E3F27I2SG 10AS016E3F29E1HG 10AS016E3F29E1SG 10AS016E3F29E2LG 10AS016E3F29E2SG 10AS016E3F29I1HG 10AS016E3F29I1SG 10AS016E3F29I2LG 10AS016E3F29I2SG 10AS016E4F27E3LG 10AS016E4F27E3SG