10ETS12SPBF

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说明
操作

10ETS12SPBF
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
50
GENERAL SEMICONDUCTOR (VI
主营优势
1821
-
100%原装正品★终端免费供样★

10ETS12SPBF
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：朱小姐
电话：13428937514
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
8753
VISHAY
D2Pak
14+
-
进口原装!现货供应,可开增值税发票.

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1

您是不是要找： 10ETS12STRL 10ETS12STRR 10-F40-10 10FHY-RSM1-GAN-TF(LF)(SN) 10FLH-SM1-TB(LF)(SN)(F) 10FLT-SM2-TB(LF)(SN) 10FLZ-RSM1-TB 10FLZ-SM1-TB 10FLZT-SM1-TF(LF)(SN)(P)

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功能描述
DIODE STD REC 1200V 10A D2PAK
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
系列
-
标准包装
100
系列
-
二极管类型
标准
电压 - (Vr)（最大）
50V
电流 - 平均整流 (Io)
6A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
1.4V @ 6A
速度
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)
300ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电
15µA @ 50V
电容@ Vr, F
-
安装类型
底座，接线柱安装
封装/外壳
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商设备封装
DO-203AA
包装
散装
其它名称
*1N3879

10ETS12SPBF 技术参数

10ETS12S 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 10A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263AB（D2PAK）工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1,000 10ETS12FP 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 10A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 整包供应商器件封装:TO-220AC 整包工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1,000 10ETS12 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:管件零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 10A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:1,000 10ETS08STRR 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 10A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 10A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263AB（D2PAK）工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:800 10ETS08STRL 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 10A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 10A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263AB（D2PAK）工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C 标准包装:800 10FMN-BMT-A-TF 10FMN-BMT-A-TF(LF)(SN) 10FMN-BMTR-A-TB 10FMN-BMTR-A-TB(LF)(SN) 10FMN-BMTTN-A-TF 10FMN-BMTTN-A-TF(LF)(SN) 10FMN-BMTTR-A-TB 10FMN-BMTTR-A-TB(LF)(SN) 10FMN-SMT-A-TF 10FMN-SMT-A-TF(LF)(SN) 10FMS-1.0SP-TF(LF)(SN) 10G00 10G03 10G08 10G09 10G36 10GBE-PCS-O4-B1 10GD27