1226AS-H-1R0N=P2

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1226AS-H-1R0N=P2
深圳市华芯盛世科技有限公司
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深圳市芯脉实业有限公司
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深圳市宝芯创电子有限公司
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功能描述
1μH Shielded Wirewound Inductor 3.3A 32 mOhm Max Nonstandard
制造商
murata electronics north america
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
类型
绕线
材料 - 磁芯
铁氧体
电感
1μH
容差
±30%
额定电流
3.3A
电流 - 饱和值
2.1A
屏蔽
屏蔽
DC 电阻（DCR）
32 毫欧最大
不同频率时的 Q 值
-
频率 - 自谐振
-
等级
-
工作温度
-40°C ~ 85°C
频率 - 测试
100kHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
非标准
大小/尺寸
0.126" 长 x 0.118" 宽（3.20mm x 3.00mm）
高度 - 安装（最大值）
0.059"（1.50mm）
标准包装
1

1226AS-H-1R0N=P2 技术参数

1226AS-H-150M=P2 功能描述:15μH Shielded Wirewound Inductor 800mA 324 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:15μH 容差:±20% 额定电流:800mA 电流 - 饱和值:500mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:324 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.126" 长 x 0.118" 宽（3.20mm x 3.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.059"（1.50mm）标准包装:1 1226AS-H-120M=P2 功能描述:12μH Shielded Wirewound Inductor 850mA 275 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:12μH 容差:±20% 额定电流:850mA 电流 - 饱和值:600mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:275 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.126" 长 x 0.118" 宽（3.20mm x 3.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.059"（1.50mm）标准包装:1 1226AS-H-100M=P2 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 1A 216 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:铁氧体电感:10μH 容差:±20% 额定电流:1A 电流 - 饱和值:650mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:216 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.126" 长 x 0.118" 宽（3.20mm x 3.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.059"（1.50mm）标准包装:1 12268-00000-20 功能描述:3M PRIVO PROTECTIVE EYEW 制造商:3m 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 12267-00000-20 功能描述:3M PRIVO PROTECTIVE EYEW 制造商:3m 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1226-K 1226-L 12-26-NB 12-26-P 1227 122707-1 1-227079-1 1-227079-6 1-227079-9 122708-1 1-227086-0 12-271 1-2271454-6 1-2271457-6 1-227161-0 1-227161-4 1-227161-5 1-2271656-1