1N4448WQ-7-F

配单专家企业名单

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封装
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价格
说明
操作

1N4448WQ-7-F
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
8474
DIODES INCORPORATED
con
24+
-
二极管

1N4448WQ-7-F
广东济德精密电子有限公司
广东济德精密电子有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：东莞市大朗镇松木山村德利路1号2栋2楼
10033
DIODES INCORPORATED
NA
2251
-
现货！就到京北通宇商城

1N4448WQ-7-F
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
8474
DIODES INCORPORATED
con
24+
-
二极管

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功能描述
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123
制造商
diodes incorporated
系列
汽车级，AEC-Q101
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
二极管类型
标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）
75V
电流 - 平均整流（Io）
250mA
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）
1.25V @ 150mA
速度
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）
4ns
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
25nA @ 20V
不同?Vr，F 时的电容
4pF @ 0V，1MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOD-123
供应商器件封装
SOD-123
工作温度 - 结
-65°C ~ 150°C
标准包装
1

1N4448WQ-7-F 技术参数

1N4448W-HE3-18 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:720mV @ 5mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:10,000 1N4448W-HE3-08 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:720mV @ 5mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 1N4448W-G3-18 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:720mV @ 5mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:10,000 1N4448W-G3-08 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:720mV @ 5mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 1N4448W-E3-18 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:720mV @ 5mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:10,000 1N4448WS-G3-18 1N4448WS-HE3-08 1N4448WS-HE3-18 1N4448WSQ-7-F 1N4448WSTR 1N4448WT 1N4448W-TP 1N4448WTR 1N4448WX-TP 1N4448X-TP 1N4449 1N4454 1N4454 BK 1N4454 TR 1N4454_S00Z 1N4454_T50R 1N4454-1 1N4454-TAP