1N5061TAP

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1N5061TAP
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
GS
原厂封装
05+
-

1N5061TAP
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
65000
VISHAY
SOD-57
假一赔十！
-
原装自己现货！！

1N5061TAP
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
30000
VIS
ORIGONAL
16+
-
0.12036 USD,szpoweri...

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功能描述
整流器 2.0 Amp 600 Volt 50 Amp IFSM
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向电压
100 V
正向电压下降
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A
反向电流 IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-221AC
封装
Reel

1N5061TAP 技术参数

1N5061GPHE3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AC，DO-15，轴向供应商器件封装:DO-204AC（DO-15）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:4,000 1N5061GP-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AC，DO-15，轴向供应商器件封装:DO-204AC（DO-15）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5061 TR 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:R-1（轴向）供应商器件封装:GPR-1A 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5060TR 功能描述:DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.15V @ 2.5A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5060TAP 功能描述:DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.15V @ 2.5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SOD-57，轴向供应商器件封装:SOD-57 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:5,000 1N5183 1N5184 1N5186 1N5186US 1N5187 1N5187US 1N5188 1N5188US 1N5189 1N5189US 1N5190 1N5194 1N5194UR 1N5195 1N5195UR 1N5196 1N5196UR 1N5221A