您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > 1字母型号搜索 >

1N5226B.TA

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 1N5226B.TA
    1N5226B.TA

    1N5226B.TA

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 2000

  • FSC

  • 标准封装

  • 07+

  • -
  • 全新原装100%正品保证质量

  • 1N5226B.TA
    1N5226B.TA

    1N5226B.TA

  • 深圳市芯脉实业有限公司
    深圳市芯脉实业有限公司

    联系人:高先生/周小姐/曹先生

    电话:185208051481376027201713487865852

    地址:深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室

  • 30393

  • Fairchild Semiconductor

  • DO-204AH, DO-35, Axi

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

  • 1N5226B.TA
    1N5226B.TA

    1N5226B.TA

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 2000

  • FSC

  • 标准封装

  • 07+

  • -
  • 全新原装100%正品保证质量

  • 1/1页 40条/页 共4条 
  • 1
1N5226B.TA PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • Rochester Electronics LLC
  • 功能描述
  • QUAD 2 INPUT NAND GATE (S.O.) - Bulk
1N5226B.TA 技术参数
  • 1N5226B TR 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):28 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5226B BK 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):28 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 1N5226B A0G 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):28 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:100°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5226B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):28 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5226B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N5226BUR-1 1N5226C-TAP 1N5226C-TR 1N5226TA 1N5227A (DO-35) 1N5227B 1N5227B (DO-35) 1N5227B A0G 1N5227B TR 1N5227B_T50A 1N5227B_T50R 1N5227B-T 1N5227BTA 1N5227B-TAP 1N5227B-TP 1N5227BTR 1N5227B-TR 1N5227BUR-1
配单专家

在采购1N5226B.TA进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买1N5226B.TA产品风险,建议您在购买1N5226B.TA相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的1N5226B.TA信息由会员自行提供,1N5226B.TA内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号