1N5257B-TA

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说明
操作

1N5257B-TAP
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：马先生
电话：19166264056
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
30000
VISHAY
原厂原封
全新环保批次
-
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特...

1N5257B-TAP
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
4556
VISHAY
1425
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原装正品，现货库存！

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1N5257B-TA 技术参数

1N5257BTA 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:58 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 24V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5257B-T 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:58 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 25V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5257B-G 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:comchip technology 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:58 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 25V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5257B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:58 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 25V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5257B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:58 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 25V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5258A (DO-35) 1N5258B 1N5258B (DO-35) 1N5258B A0G 1N5258B BK 1N5258B TR 1N5258B_T50A 1N5258B_T50R 1N5258B-T 1N5258BTA 1N5258B-TAP 1N5258B-TP 1N5258B-TR 1N5258BUR-1 1N5258C-TAP 1N5258C-TR 1N5258TA 1N5259A