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1N5614GP

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  • 深圳市源运电子商行
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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  • 制造商
  • VISHAY
  • 制造商全称
  • Vishay Siliconix
  • 功能描述
  • Glass Passivated Junction Rectifier
1N5614GP 技术参数
  • 1N5614 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:A,轴向 供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 1N5613 功能描述:C-BODY 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N5611 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N5610 功能描述:TVS DIODE 30.5VWM 47.6VC G-PKG 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):30.5V 电压 - 击穿(最小值):33V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:47.6V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):32A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:G,轴向 供应商器件封装:G,轴向 标准包装:1 1N5558 功能描述:TVS DIODE 175VWM 265VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):175V 电压 - 击穿(最小值):191V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:265V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):5.7A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N5615US/TR 1N5616 1N5616C.TR 1N5616US 1N5617 1N5617C.TR 1N5617GP-E3/54 1N5617GP-E3/73 1N5617GPHE3/54 1N5617US 1N5618 1N5618GP-E3/54 1N5618GPHE3/54 1N5618US 1N5619 1N5619GP-E3/54 1N5619GP-E3/73 1N5619GPHE3/54
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