1N5637AE3

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功能描述
UNI-DIRECTIONAL TVS
制造商
microsemi corporation
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
类型
齐纳
单向通道
1
电压 - 反向关态（典型值）
12.8V
电压 - 击穿（最小值）
14.3V
电压 - 箝位（最大值）@ Ipp
21.2V
电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）
71A
功率 - 峰值脉冲
1500W（1.5kW）
电源线路保护
无
应用
通用
不同频率时的电容
-
工作温度
-65°C ~ 175°C（TA）
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-13
供应商器件封装
DO-13（DO-202AA）
标准包装
100

1N5637AE3 技术参数

1N5637A/TR 功能描述:UNI-DIRECTIONAL TVS 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:12.8V 电压 - 击穿（最小值）:14.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:21.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:71A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TA）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13（DO-202AA）标准包装:100 1N5637A 功能描述:TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:12.8V 电压 - 击穿（最小值）:14.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:21.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:71A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N5637 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5636A 功能描述:TVS DIODE 11.1VWM 18.2VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:11.1V 电压 - 击穿（最小值）:12.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:18.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:82A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N5636 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5642 1N5642A 1N5643 1N5643A 1N5644 1N5644A 1N5645 1N5645A 1N5646A 1N5647 1N5647A 1N5648 1N5648A 1N5649 1N5649A 1N5650 1N5650A 1N5651A