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1N5831TX

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1N5831TX 技术参数
  • 1N5831R 功能描述:DIODE SCHOTTKY REV 35V DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:肖特基,反极性 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):35V 电流 - 平均整流(Io):25A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):580mV @ 25A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2mA @ 20V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:100 1N5831 功能描述:DIODE SCHOTTKY 35V 25A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):35V 电流 - 平均整流(Io):25A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):580mV @ 25A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2mA @ 20V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:100 1N5830R 功能描述:DIODE SCHOTTKY REV 25V DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:肖特基,反极性 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):25V 电流 - 平均整流(Io):25A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):580mV @ 25A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2mA @ 20V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:100 1N5830 功能描述:DIODE SCHOTTKY 25V 25A DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):25V 电流 - 平均整流(Io):25A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):580mV @ 25A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2mA @ 20V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:100 1N5829R 功能描述:DIODE SCHOTTKY REV 20V DO4 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:肖特基,反极性 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):20V 电流 - 平均整流(Io):25A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):580mV @ 25A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2mA @ 20V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商器件封装:DO-4 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:100 1N5908RL4 1N5908RL4G 1N5913A 1N5913A G 1N5913AE3/TR13 1N5913AP/TR12 1N5913AP/TR8 1N5913APE3/TR12 1N5913APE3/TR8 1N5913B 1N5913B G 1N5913BE3/TR13 1N5913BG 1N5913BP/TR12 1N5913BP/TR8 1N5913BPE3/TR12 1N5913BPE3/TR8 1N5913BRL
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