1N6002B全国供应商 1N6002B资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1N6002B-TP
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：骆小姐
电话：18124020586
地址：深圳市龙岗区雅宝路1号星河world， A栋2203A
48510
Micro Commercial Co
DO-204AH, DO-35, Axi
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

1N6002B
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
853240
FAIRCHILD
原厂封装
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！！

1N6002B
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生
电话：13487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
46717
Fairchild Semiconductor
DO-204AH, DO-35, Axi
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

1N6002B
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/高先生
电话：1376027201718520805148
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
42743
Microchip / Microsemi
DO-35-2
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

1N6002B-TP
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品质量保障电话010-62104...

1N6002B
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
ONS
原装正品
09/10+
-
假一罚十，百分百原装正品

1N6002B-TP
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
35875
MICRO COM
1521+
-
全新原装现货

1/1页 40条/页共20条
1

您是不是要找： 1N6002B BK 1N6002B TR 1N6002B_T50A 1N6002B_T50R 1N6002B-TP 1N6002C 1N6002D 1N6002UR 1N6002UR-1

1N6002B PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

1N6002B PDF下载

功能描述
稳压二极管 12 Volt 500mW 5%
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

1N6002B 技术参数

1N6002A 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:32 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N6001UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6001UR 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6001D 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:18 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N6001C 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:11V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:18 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8.4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N6003A 1N6003B 1N6003B_T50A 1N6003B_T50R 1N6003C 1N6003D 1N6003UR 1N6003UR-1 1N6004A 1N6004B 1N6004B BK 1N6004B_T50A 1N6004B_T50R 1N6004B-TP 1N6004C 1N6004D 1N6004UR 1N6004UR-1