1N6007A

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说明
操作

1N6007A
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
856420
ITT
原厂封装
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

1N6007A
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/高先生/曹先生
电话：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
14676
Microchip / Microsemi
DO-35-2
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ZENER SGL 20V 10% 480MW 2PIN DO-35 - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 20V 500MW DO-35

1N6007A 技术参数

1N6006UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6006UR 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6006D 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:42 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N6006C 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:42 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N6006B-TP 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:42 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N6008B 1N6008B_T50A 1N6008B_T50R 1N6008C 1N6008D 1N6008UR 1N6008UR-1 1N6009A 1N6009B 1N6009B BK 1N6009B_T50A 1N6009B_T50R 1N6009B-TP 1N6009C 1N6009D 1N6009UR 1N6009UR-1 1N6010A