1N6009B-TP

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说明
操作

1N6009B-TP
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生
电话：13487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
84225
Micro Commercial Co
DO-204AH, DO-35, Axi
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

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功能描述
稳压二极管 500mW, 5mA, 24V
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

1N6009B-TP 技术参数

1N6009B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:62 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N6009B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:62 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N6009B BK 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:62 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 1N6009B 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:62 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N6009A 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:24V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:78 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 15V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N6010D 1N6010UR 1N6010UR-1 1N6011A 1N6011B 1N6011B_T50A 1N6011B_T50R 1N6011B-TP 1N6011C 1N6011D 1N6011UR 1N6011UR-1 1N6012A 1N6012B 1N6012B BK 1N6012B_T50A 1N6012B_T50R 1N6012B-TP