1N6075全国供应商 1N6075资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

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说明
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1N6075JANTX
现货
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
500
2015+
-
公司现货库存,绝对原装正品!

1N6075JANTX
优势
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
500
2015+
-
公司现货库存,绝对原装正品!

1N6075
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
SEMTECH
con
24+
-
电子元件

1N6075
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
SEMTECH
con
24+
-
电子元件

1N6075
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：马先生
电话：19166264056
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
66890
Microchip
原封装
22+
-
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特...

1N6075
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐
电话：1916620305713760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
66890
Microchip
原封装
22+
-
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特...

1N6075
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
415
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Switching 150V 3A 2-Pin Case A
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 150V 3A 2PIN A - Bulk
制造商
Microsemi
功能描述
Microsemi 1N6075 Rectifiers

1N6075 技术参数

1N6074US 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:2.04V @ 9.4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 155°C 标准包装:1 1N6074 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 850MA AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:850mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:2.04V @ 9.4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 155°C 标准包装:1 1N6073US 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:2.04V @ 9.4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 155°C 标准包装:1 1N6073 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:850mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:2.04V @ 9.4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 155°C 标准包装:1 1N6072A 功能描述:TVS DIODE 185VWM 328VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:185V 电压 - 击穿（最小值）:209V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:328V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:4.6A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N6080 1N6080US 1N6081 1N6081US 1N6095 1N6095R 1N6096 1N6096R 1N6097 1N6097R 1N6098 1N6098R 1N6100 1N6101 1N6102 1N6102A 1N6102AUS 1N6102US