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1N6110AJANTX

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  • 标准国际(香港)有限公司
    标准国际(香港)有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:83617149

    地址:新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

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  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:陈小姐

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1N6110AJANTX 技术参数
  • 1N6110A 功能描述:TVS DIODE 11.4VWM 21VC BPKG AXL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):11.4V 电压 - 击穿(最小值):14.25V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:21V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):23.8A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:B,轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:1 1N6110 功能描述:TVS DIODE 11.4VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):11.4V 电压 - 击穿(最小值):13.54V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:22.05V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):22.61A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:B,轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:1 1N6109US 功能描述:TVS DIODE 9.9VWM 19.11VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):9.9V 电压 - 击穿(最小值):11.73V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:19.11V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):26.13A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,B 供应商器件封装:B,SQ-MELF 标准包装:1 1N6109AUS 功能描述:TVS DIODE 9.9VWM 18.2VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):9.9V 电压 - 击穿(最小值):12.35V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:18.2V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):27.5A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,B 供应商器件封装:B,SQ-MELF 标准包装:1 1N6109A 功能描述:TVS DIODE 9.9VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):9.9V 电压 - 击穿(最小值):12.35V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:18.2V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):27.5A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:B,轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:1 1N6112US 1N6113 1N6113A 1N6113AUS 1N6113US 1N6114 1N6114A 1N6114AUS 1N6114US 1N6115 1N6115A 1N6115AUS 1N6115US 1N6116 1N6116A 1N6116AUS 1N6116US 1N6117
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