1N6483

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说明
操作

1N6483-E3/97
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/高先生
电话：1376027201718520805148
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
41444
Vishay Semiconductors
DO-213AB
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

1N6483/25
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
850000
Vishay Semiconductors
DO-213AB
12+
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全新原装现货库存！400-800-030...

1N6483-E3/96
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
9000
VIS
ORIGONAL
16+
-
0.13806 USD,szpoweri...

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制造商
GS
功能描述
General Purpose 800V SMD (Surface Mount) Rectifier DO-213AB 1.0V
制造商
GS
功能描述
General Purpose 800V SMD (Surface Mount) Rectifier DO-213AB 1.0V - free partial T/R at 500.

1N6483 技术参数

1N6482HE3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF（玻璃）供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:5,000 1N6482HE3/96 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF（玻璃）供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1,500 1N6482-E3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF（玻璃）供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:5,000 1N6482-E3/96 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF（玻璃）供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N6481HE3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF（玻璃）供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:5,000 1N6485US 1N6486 1N6486US 1N6487 1N6487US 1N6488 1N6488US 1N6489 1N6489US 1N648UR-1 1N6490US 1N649-1 1N6492 1N649UR-1 1N6506 1N6507 1N6508 1N6509