1N6623全国供应商 1N6623资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

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价格
说明
操作

1N6623JTX *S
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
10
MSC
-
公司现货,只做原装！

1N6623U/TR
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：骆小姐
电话：18124020586
地址：深圳市龙岗区雅宝路1号星河world， A栋2203A
89987
Microchip Technology
SQ-MELF, A
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

1N6623U/TR
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：曹先生
电话：13487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
67342
Microchip Technology
SQ-MELF, A
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

1N6623US
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/高先生
电话：1376027201718520805148
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
19272
Microchip / Microsemi
D-5A-2
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

1N6623JTX *S
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
10
MSC
-
公司现货,只做原装！

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE RECT ULT FAST REC A-PKG

1N6623 技术参数

1N6622US 功能描述:DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:660V 电流 - 平均整流（Io）:1.2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 660V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:A-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6622 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1.2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:45ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:A-PAK 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:500 1N6621US/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.6V @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:45ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:100 1N6621US 功能描述:DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:440V 电流 - 平均整流（Io）:1.2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 440V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:A-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6621 功能描述:DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:440V 电流 - 平均整流（Io）:1.2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 440V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 10V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6627US 1N6628 1N6628US 1N6628US/TR 1N6629 1N6629US 1N6630 1N6630US 1N6631 1N6631US 1N6632 1N6632US 1N6633 1N6633US 1N6634 1N6634US 1N6635 1N6635US