1N6624

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1N6624U
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
15
MSC
N/A
-
公司现货!只做原装!

1N6624
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：骆小姐
电话：18124020586
地址：深圳市龙岗区雅宝路1号星河world， A栋2203A
56946
Microchip Technology
A, Axial
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

1N6624US
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
100
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
代理渠道可追溯现货库存F

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1

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 900V 1.5A 2PIN A - Bulk

1N6624 技术参数

1N6623US 功能描述:DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:880V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.55V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 880V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:A-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6623 功能描述:DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:880V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.55V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 880V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 10V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6622US 功能描述:DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:660V 电流 - 平均整流（Io）:1.2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 660V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:A-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N6622 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1.2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1.2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:45ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:A-PAK 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:500 1N6621US/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.6V @ 2A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:45ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:100 1N6628US 1N6628US/TR 1N6629 1N6629US 1N6630 1N6630US 1N6631 1N6631US 1N6632 1N6632US 1N6633 1N6633US 1N6634 1N6634US 1N6635 1N6635US 1N6636 1N6636US